Вопросы на экзамен спиэ


Скачать 36.85 Kb.
НазваниеВопросы на экзамен спиэ
Дата публикации20.07.2013
Размер36.85 Kb.
ТипДокументы
userdocs.ru > Физика > Документы
Вопросы на экзамен СПИЭ
1. МОП - транзистор. Принцип работы

2. Модель Эберса - Молла биполярного транзистора.

3. Разновидности транзисторов, работающих на эффекте поля.

4. Формула волы амперной характеристики диода.

5. Биполярный транзистор. Принцип работы.

6. Классификация транзисторов.

7. Технологический процесс изготовления биполярного транзистора.

8. Классификация интегральных схем.

9. Полупроводниковые приборы с N - образными характеристиками.

10. Система параметров логических элементов.

11. Этапы проектирования изделий электронной техники.

12. Основные параметры биполярного транзистора и методика их измерений.

13. Полупроводниковые приборы с S — образными характеристиками.

14. Технологический процесс изготовления МОП транзистора.

15. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением.

16. Динамические параметры логических микросхем.

17. Вольтамперная характеристика р-п перехода.

18. Туннельный диод. Принцип работы.

19. Классификация интегральных микросхем и транзисторов.

20. Способы включения биполярного транзистора и их конструктивные решения.

21. МОП - транзистор, принцип работы, электрические параметры.

22. Основные этапы технологического процесса изготовления биполярных интегральных схем.

23.Простейший ТТЛ (ТТЛШ) вентиль. Принцип работы. 24.Конструкция и принцип работы многоэмиттерного транзистора.

25. Закон Мура. Степень интеграции интегральных схем.

26.Диод Шоттки. Принцип работы. Технология изготовления.

27.Вертикальная структура транзистора Шоттки.

28.Работа биполярного транзистора в ключевом режиме.

29.0сновные схемы включения биполярного транзистора.

30.Конструкция конденсатора в интегральном исполнении.

31 .Структура интегрального резистора

32.3акон Мура. Степень интеграции интегральных микросхем.

33.Закон Мура. Современное состояния производства интегральных схем: степень интеграции, диаметр пластин, проектные нормы.

34.Многослойные полупроводниковые структуры

35.Технологический маршрут изготовления МОП - транзистора.

36.Билолярный транзистор с диодом Шоттки. Принцип работы.

37.Инжекционный вентиль. Принцип работы.

38. Зависимость коэффициента биполярного транзистора от коллекторного тока.

39.Технология изготовления и основные параметры полевого транзистора.

40.Высоколомехоустойчивая логика. Принцип работы.

41.ТТЛ (ТТЛШ) - вентиль. Принцип работы.

42.0собснности обратной характеристики р-n перехода.

43.Принцип работы транзистора в инверсном режиме и его конструкция.

44.Классификация полупроводниковых диодов.

45.Технологический процесс изготовления биполярного транзистора с диодом Шоттки.

46.Модель Эберса - Молла.

47.Классификация интегральных микросхем и дискретных приборов.

48.Полупроводниковые приборы с использованием перехода металл-полупроводник.

49.Структура интегрального конденсатора.

50.График «жизненного» цикла изделий.

51 .Принцип работы и конструкция инжекционного вентиля.

52.Эквивалентная схема интегрального резистора.

53.Система параметров светоизлучающего диода.

54.Работа биполярного транзистора в ключевом режиме.

55.Вольтамперная характеристика р-n перехода и диода Шоттки.

56.Способы включения биполярного транзистора.

57.Расчет параметров интегрального резистора.

58.Система электрических параметров логических схем.

59.Технологический процесс изготовления полевого транзистора.

60.Система статических и динамических параметров интегральных схем.

61 .Зависимость параметров биполярного транзистора от температуры.

62.Первый и второй закон Мура.

63 .Зависимость параметров полевого транзистора от температуры.

64.Способы включения полевого транзистора.

65.Структура интегрального конденсатора, изготовленного по биполярному технологическому процессу и его параметры.

66.Структура интегрального конденсатора, изготовленного в МОП - техпроцессе и его параметры.

67.Основные параметры МОП - транзисторов.

68.Конструкция интегральных биполярных транзисторов в диодном включении.

69.Классификация МОП - транзисторов.

70. Понятие «жизненного» цикла полупроводниковых изделий.

Похожие:

Вопросы на экзамен спиэ iconВопросы на экзамен спиэ
Различают два вида полевых транзисторов: с управляющим переходом и с изолированным затвором. Все они имеют три электрода: исток (источник...
Вопросы на экзамен спиэ iconВопросы. Экзамен по «Стратегическому менеджменту» бд 631

Вопросы на экзамен спиэ iconГригорий Сергеевич Вечканов Микроэкономика Завтра экзамен «Микроэкономика....
В восьмом издании книги известных отечественных авторов вы найдете основные вопросы курса «Микроэкономика». Изложенные кратко и доходчиво,...
Вопросы на экзамен спиэ iconФорма приема экзамена: письменные ответы на вопросы билетов
Итоговый государственный экзамен позволяет выявить теоретическую подготовку к решению профессиональных задач и должен включать вопросы...
Вопросы на экзамен спиэ iconСухтп вопросы к экзамену, экзамен 18 января 30 ауд. 47 Первые вопросы билета
Современная иерархическая структура системы управления предприятием. Этапы автоматизации производства. Горизонтальная и вертикальная...
Вопросы на экзамен спиэ iconЭкзамен по стилистике и литературному редактированию на IV курсе...
Экзамен по стилистике и литературному редактированию на IV курсе дневного отделения специальности «Журналистика» проводится по разделу...
Вопросы на экзамен спиэ iconВопросы на экзамен по игпзс (II)
Новгородская и Псковская феодальные республики: обще-государственная характеристика
Вопросы на экзамен спиэ iconЭкономика экзамен. В течение семестра 2 контрольные. 1я обычный тест,...
Экономика – экзамен. В течение семестра 2 контрольные. 1я обычный тест, 2й более сложный. Вопросы такие же как в итогом экзамене....
Вопросы на экзамен спиэ iconВопросы на экзамен по фспипр
Финансовые посредники на рынке ссудных капиталов, краткая характеристика их деятельности
Вопросы на экзамен спиэ iconВопросы, выносимые на экзамен
Необходимость использования моделей при изучении экономических процессов и систем
Вы можете разместить ссылку на наш сайт:
Школьные материалы


При копировании материала укажите ссылку © 2015
контакты
userdocs.ru
Главная страница