Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша


НазваниеКурс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша
страница5/7
Дата публикации01.08.2013
Размер0.61 Mb.
ТипДокументы
userdocs.ru > Физика > Документы
1   2   3   4   5   6   7


$

$$$192. Укажите график теоретически ожидаемой зависимости тока полупроводника диода от значения приложенного напряжения
$$

$

$

$
$$$193. При каком смещении перехода (прямом или обратном) нормально используются варикапы.
$$ При обратном смещении перехода

$ При прямом смещении перехода

$ При любом смещении перехода

$ Правильного ответа нет

$$$194. Что показывает коэффициент переноса?

$$ Долю неосновных носителей, захваченных коллекторным переходом, в общем количестве неосновных носителей, инжектированных в базу эмиттером

$ Долю неосновных носителей, захваченных коллекторным переходом, в общем количестве носителей, движущихся через коллекторный переход

$ Долю основных носителей в общем количестве носителей, имеющихся в базе

$ Долю основных носителей в общем количестве носителей, рекомбинирующих в базе

$$$195. Укажите связь между коллекторным и эмиттерный токами в транзисторе при коллекторным переходе смещенном в обратном направлении

$$

$

$

$

$$$196. Укажите определение крутизны характеристики подложке SFI транзистора с изолированным затвором

$$

$

$

$

$$$197. Что такое активный режим транзистора?

$$ Эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный - в обратном

$ Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в обратном направлении

$Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в прямом направлении

$Коллекторный переход смещен в прямом направлении

$$$198.Какие семейства статических характеристик транзистора называются выходными?

$$ I2(U2) при I1=const

$ I2(U1) при U2=const

$ U2(I1) при I2=const

$ U2(U1) при I2=const

$$$199. Какой из выводов транзистора истоком?

$$ Один из выводов, через который основные носители заряда входят в канал

$ Один из выводов, через который основные носители заряда выходят из канала

$ Один из электродов создающий поперечное поле

$ Электрод, управляющий потоком носителей

$$$200.Чем объясняется слабый рост тока транзистора в режиме насыщения при увеличении напряжения сток - исток?

$$ Распространением области объемного заряда в основном в направлении стока и нелинейным ростом сопротивления канала

$ Увеличением концентрации электронов в области истока

$ Изменением удельного электрического сопротивления полупроводника б областях стока и истока

$ Правильного ответа нет

$$$201. Какой полярности напряжения затвор - исток являются рабочим
для МДП- транзистора со встроенным каналом?

$$ Любой полярности в пределах напряжений, при которых обеспечивается проводимость через канал

$ Только той же полярности, что и в транзисторе с индуцированным каналом

$ Только противоположной полярности в сравнении с транзистором с индуцированным затвором

$$$202. Укажите выходную характеристику транзистора с управляющим p-n переходом и n-каналом?
$$

$


$

$


$$$203. Что такое запирающий слой?

$$ Обеденный слой между двумя полупроводниками с различной структурой

$ Слой однородного проводника с большим удельным электрическим сопротивлением

$ Слой полупроводника с большой концентрацией подвижных носителей

$ Слой в полупроводнике с большой концентрацией примесей

$$$204. Толщина канала у стока полевого транзистора с p-n стоком при подаче напряжения UСИ
$$

$

$

$

$$$205. Крутизна транзистора с p-n затвором.
$$

$

$

$

$$$206. Коэффициент усиления транзистора с p-n затвором по напряжению.

$$

$

$

$

$$$207.Основное уравнение транзистора с p-n затвором.
$$

$

$

$


$$$208.Крутизна полевого транзистора.
$$

$

$

$

$$$209. Первый закон Фика имеет вид
$$

$

$

$


$$$210. Распределение примеси при диффузии в подложки имеет вид
$$

$

$

$

$$$211. Второй закон Фика имеет вид
$$

$

$

$

$$$212. Реакция термоокисления сухим кислородом имеет вид

$$

$

$

$

$$$213. Глубина проникновения иона в вещество характеризуется

$$ Пробегом иона в веществе

$ Энергией и массой иона

$ Скоростью иона

$ Электронным торможением


$$$214. Какой формулой определяется безразмерная энергия

$$

$

$

$

$$$215. Основной элемент биполярных ИМС.

$$ Кремниевый транзистор

$ Германиевый транзистор

$ Диод

$ Диффузионный резистор


$$$216. Изготовление элементов ИМС основанная на использовании в качестве изоляции и маскирования термически выращенного оксида

$$ Изопланарная технология

$ Тонкопленочная технология

$ Планарная технология

$ Герметизационная Технология

$$$217. Установившийся режим (при равновесии) термического окисления кремния будет при

$$ Все потоки окисления равны

$ Потоки окисления уменьшаются к границе окисления

$ Поток

$ При равенстве

$$$218. Положение p-n перехода при диффузии примесей

$$ Меняется во времени

$ Остается постоянной и не зависит от концентрации примесей

$ Зависит от концентрации примеси

$ Только температура подложки определяет положение p-n перехода.
$$$219. Коэффициент диффузии определяется по формуле

$$

$

$

$

$$$220. Что является движущей силой процесса растворения окислителя в оксиде

$$ Градиент концентрации в системе газ-поверхность оксида

$ Градиент в газовой среде

$ Градиент разности масс атомов окислителя и подложки

$ Градиент концентрации на границе Si и SiO2

$$$221. Что определяет диффузию примесей на границе двух сред

$$ Градиент концентрации атомов примеси в средах

$ Температура должна быть одинаковой по всему объему подложки

$ Различие масс атомов примеси и подложки

$ Наличие электрического поля на границе сред

$$$222. Что означает диффузия из неограниченного источника

$$ Это диффузия из источника с постоянной концентрацией примесных атомов

$ Это диффузия примесей из источника примесей, находящейся в начальный момент времени в тонком поверхностном слое

$ Диффузия примесей приводит к неограниченному распространению атомов примеси по всему объему подложки

$ Это метод загонки и разгонки примеси

$$$223. Для чего производится отжиг при ионной имплантации?

$$ Для устранения радиационных нарушений и обеспечить электрические активацию внедренных атомов примеси

$ Для создания структуры p-n перехода без диффузионного перемещения внедренных примесей

$ Для восстановления структуры кремния при t<200С

$ Для увеличения внутренней энергии подложки

$$$224. Скорость диффузии атомов примеси в полупроводнике зависит от

$$ Температуры подложки

$ Объема материала

$ Зарядов ионов примеси

$ Концентрации атомов примеси

$$$225. Где применяется ионная имплантация?

$$ Для внедрения ионов легирующих примесей в слои полупроводника на различные заданные глубины

$ Выращивания монокристаллического материала

$ Испарение материалов примеси

$ Ионизация атомов вещества

$$$226. Основные параметры ионной имплантации

$$ Энергия ускоренных ионов и доза облучения

$ Диффузия

$ Концентрация

$ Энергия ионов

$$$227. Закон Фика для плотности потока имеет вид

$$

$

$

$

$$$228. Фотолитография – это

$$ Совокупность фото и физико-химических процессов применяющихся для получения необходимых размеров и конфигураций компонентов микроэлектронных элементов и устройств

$ Совокупность фото и физико-химических процессов применяющихся для получения необходимых размеров и конфигураций

$ Совокупность фото и физико-химических процессов применяющихся для получения элементов

$ Совокупность процессов и компонентов микроэлектроники

$$$229. Быстродействие логических элементов (ЛЭ) на МДП транзисторах хуже, чем ЛЭ на биполярных транзисторах потому, что

$$ У ЛЭ на МДП большие входные емкости и высокое входное сопротивление

$ У ЛЭ на МДП меньше входные емкости

$ Сравнительно большое входное сопротивление и малое входное сопротивление

$ Низкое входное сопротивление

$$$230.Преимуществом логических элементов на МДП транзистора перед ЛЭ на биполярных транзисторах является

$$ Малая мощность, потребляемая входной цепью и простота технологии изготовления

$ Высокое быстродействие перед ЛЭ на биполярных транзисторах

$ Простота технологического изготовления

$ Малая мощность потребления

$$$231. Какую логическую функцию выполняет элемент РТЛ?

$$ Функцию ИЛИ-НЕ

$ Функцию ИЛИ

$ Функцию НЕ

$ Функцию И

$$$232. Логическую операцию И-НЕ выполняет

$$ Логическое умножение с инверсией
1   2   3   4   5   6   7

Похожие:

Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconКурс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Основы Радиотехники,...
Характеристиками каких устройств являются: чувствительность, избирательность, полоса пропускания диапазон частот, качество воспроизведения...
Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconКурс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Основы Радиотехники,...
Озу это устройство $$ применяется для хранения информации, которая обновляется в процессе работы
Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconКурс 1 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина: Философия Кредиттің саны: 3 Количество кредитов: 3
Направление философии, которое утверждает первичность природной и социальной реальности
Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconУчебный план 6 семестра группы хп-3 (2012-2013 учебный год) дисциплина...
Цыганков А. П. Современные политические режимы: структура, типология, динамика. М., 1995
Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconУчебный план 6 семестра группы рт-3 (2012-2013 учебный год) дисциплина...
Найдите правильный вариант перевода на английский язык слов, заключенных в скобки
Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconУчебный план 2 семестра группы мкб-1 (2012-2013 учебный год) Дисциплина...
А4: по краям листа остаются свободные поля: слева – 2,5 см, справа – 1,5 см, вверху и внизу – по 2,5 см
Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconУчебный план 2 семестра группы мкс-1 (2012-2013 учебный год) Дисциплина...
А4: по краям листа остаются свободные поля: слева – 2,5 см, справа – 1,5 см, вверху и внизу – по 2,5 см
Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconУчебный план 2 семестра группы мкс-1 (2012-2013 учебный год) Дисциплина...
А4: по краям листа остаются свободные поля: слева – 2,5 см, справа – 1,5 см, вверху и внизу – по 2,5 см
Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconУчебный план 2 семестра группы ртб-1 (2012-2013 учебный год) дисциплина...
История России: Учебник для вузов/ Орлов А. С., Георгиев В. А., Георгиева Н. Г., Сивохина Т. А. – М., 2002
Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconУчебный план 2 семестра группы хпб-1 (2012-2013 учебный год) дисциплина...
История России: Учебник для вузов/ Орлов А. С., Георгиев В. А., Георгиева Н. Г., Сивохина Т. А. – М., 2002
Вы можете разместить ссылку на наш сайт:
Школьные материалы


При копировании материала укажите ссылку © 2020
контакты
userdocs.ru
Главная страница