Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша


НазваниеКурс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша
страница6/7
Дата публикации01.08.2013
Размер0.61 Mb.
ТипДокументы
userdocs.ru > Физика > Документы
1   2   3   4   5   6   7


$ Логическое сложение

$ Логическое умножение

$ Отрицание (инверсию)

$$$233. Какую логическую функцию выполняет схема?
$$ Функция инверсии

$ Функцию

$ Функцию сложения

$ Функцию усиления сигнала
$$$234. Какие точки на графике транзисторного ключа соответствуют включению и выключению ключа?


$$ Точки 2 и 3

$ Точки 1 и 3

$ Точки 1 и 2

$ Точки 2 и 4
$$$235. Инвертор выполняет операцию

$$ Операцию инверсии

$ Операцию сложения

$ Операцию вычитания

$ операцию умножения
$$$236. Внешние запоминающие устройства памяти (ЗУ) реализуются на

$$ На магнитных лентах и на магнитных или оптических дисках

$ На магнитных дисках

$ На оптических дисках

$ На интегральных схемах (ИС)
$$$237. Накопитель ОЗУ это -

$$ Основная часть ОЗУ, где хранятся данные (двоичные коды)

$ Периферия, предназначенная для ввода и вывода данных

$ Дешифраторы и регистры схем общего назначения

$ Коммутатор общего назначения
$$$238. Информационная емкость ОЗУ в битах

$$ Это параметр, характеризующий степень интеграции элементов на кристалле

$ Это параметр, характеризующий плотность упаковки элементов

$ Общая мощность в режиме хранения, отнесенная к 1 биту

$ Это количество запоминающих ячеек (ЗУ)
$$$239. Изоляция элементов ИС осуществляется

$$ Изоляцией обратно смещенным p-n переходом и изоляцией диэлектриком

$ Только изоляцией диэлектриком

$ Изоляцией прямо смещенным p-n переходом

$ Только обратно смещенным p-n переходом
$$$240. Путем формирования p-n переходов в ИМС можно получить

$$ Транзистор, диод, R, C

$ Диод

$ Транзистор

$ Индуктивность
$$$241. Укажите буквенно-цифровое обозначение стабилитрона.

$ КТ806А.

$ 6Ж22П.

$$ КС162А.

$ К140УД13А.
$$$242. Укажите буквенно-цифровое обозначение выпрямительного диода.

$$ КД203А.

$ 6Ж22П.

$ КС162А.

$ К140УД13А
$$$243. Укажите буквенно-цифровое обозначение варикапа.

$ КТ806А.

$ 6Ж22П.

$ КС162А.

$$ КВ135.
$$$244. Укажите буквенно-цифровое обозначение туннельного диода.

$ КТ806А.

$ Ж22П.

$ КС162А.

$$ ГИ307А.
$$$245. Какая емкость больше, барьерная или диффузионная, в открытом диоде?

$$ Диффузионная.

$ Барьерная.

$ Они одинаковы и очень маленькие.

$ Они одинаковы и очень большие.
$$$246. Какая емкость больше, барьерная или диффузионная, в закрытом диоде?

$ Диффузионная.

$$ Барьерная.

$ Они одинаковы и очень маленькие.

$ Они одинаковы и очень большие.
$$$247. Как изменится барьерная емкость диода при увеличении обратного напряжения?

$ Не изменится.

$ Увеличится.

$$ Уменьшится.

$ Вначале увеличится, а затем уменьшится.
$$$248.Как изменится диффузионная емкость диода при увеличении прямого напряжения?

$ Не изменится.

$$ Увеличится.

$ Уменьшится.

$ Вначале увеличится, а затем уменьшится.
$$$249. Что называется эмиттером?

$ Область транзистора с малой концентрацией примесей.

$$ Область транзистора, которая инжектирует в базу неосновные носители.

$ Область транзистора со стороны закрытого p-n – перехода.

$ Область транзистора, экстрагирующая из базы неосновные носители.
$$$250. Что называется коллектором?

$ Область транзистора с большей концентрацией примесей.

$ Область транзистора, которая инжектирует в базу неосновные носители.

$ Область транзистора со стороны открытого p-n – перехода.

$$ Область транзистора, экстрагирующая из базы неосновные носители.
$$$251. Какой из p-n – переходов транзистора обычно имеет большую площадь?

$ Эмиттерный переход.

$$ Коллекторный переход.

$ Оба перехода имеют одинаковую площадь.

$ Это зависит от структуры транзистора.
$$$252. В какой из областей транзистора больше примеси, в области базы или в области эмиттера?

$ В области базы.

$$ В области эмиттера.

$ Равное количество в обеих областях, но меньшее, чем в области коллектора.

$ Равное количество в обеих областях, но большее, чем в области коллектора.
$$$253. Как надо задать усилительный режим работы биполярного транзистора?

$ Эмиттерный и коллекторный переходы сместить в обратном направлении.

$ Эмиттерный и коллекторный переходы сместить в прямом включении.

$$ Эмиттерный переход - в прямом, а коллекторный - в обратном включении.

$ Коллекторный переход - в прямом, а эмиттерный - в обратном.
$$$254. Что такое режим отсечки?

$ Открытый коллекторный и закрытый эмиттерный переходы.

$ Закрытый коллекторный и открытый эмиттерный переходы.

$ Коллекторный и эмиттерный переходы открыты .

$$ Коллекторный и эмиттерный переходы закрыты.
$$$255. Определите, чему равно напряжение на выходе усилителя, если на вход подается напряжение 10 мВ, а коэффициент усиления равен 100.

$ 100 В

$ 10 В

$ 100 мВ

$$ 1 В
$$$256. Определите, чему должно быть равно напряжение на входе усилителя, чтобы на выходе напряжение было равно 1 В, а коэффициент усиления равен 10.

$$ 100 мВ

$ 10 мВ

$ 1 мВ

$ 2 В

$$$257. Определите коэффициент усиления по мощности, если на входе усилителя

напряжение равно 100 мВ и ток 20 мА, а на выходе напряжение – 10 В и ток 0.2 А

$ 100

$$ 1000

$ 1

$ 0,1

$$$258. Определите коэффициент усиления по мощности, если на входе усилителя напряжение равно 100 мВ и ток 2 мА, а на выходе напряжение – 10 В и ток 0.2 А

$$ 100

$ 1000

$ 1

$ 0,1
$$$259. Какая из схем включения транзистора обеспечивает максимальное усиление по мощности?

$С общей базой.

$$С общим эмиттером.

$С общим коллектором.

$Во всех схемах усиление мощности сигнала одинаково.

$Ни одна из схем усиления по мощности не даёт.
$$$260. Можно ли получить усиление тока при включении транзистора по схеме с ОБ?

$ Можно.

$$ Нельзя.

$При малых нагрузках в цепи коллектора можно, а при больших нельзя.

$ При больших нагрузках в цепи коллектора можно, а при малых нельзя.
$$$261. Можно ли получить усиление напряжения при включении транзистора по схеме с ОК?

$ Можно.

$$ Нельзя.

$ При малых нагрузках в цепи эмиттера можно, а при больших нельзя.

$ При больших нагрузках в цепи эмиттера можно, а при малых нельзя.
$$$262. Какая из схем включения транзистора обеспечивает максимальное усиление по току?

$ С общей базой.

$С общим эмиттером.

$$С общим коллектором.

$ Во всех схемах усиление мощности сигнала одинаково.
$$$263. Почему коэффициент передачи тока эмиттера меньше единицы?

$ Вследствие расширения коллекторного перехода.

$$ Вследствие рекомбинации в базе части не основных носителей, инжектированных эмиттером.

$ Из-за большого сопротивления базы.

$ Вследствие инжекции не основных носителей из коллектора в базу.
$$$264. Почему коэффициент передачи тока базы больше единицы?

$ Потому, что приращение тока эмиттера больше приращения тока коллектора.

$$ Потому, что изменение тока базы составляет малую часть изменения тока эмиттера, определяющую приращение тока коллектора.

$ Потому, что коллекторный переход открыт.

$ Потому, что коллекторный переход закрыт.
$$$265. Основное преимущество полевых транзисторов в сравнении с биполярными.

$$ Большое входное сопротивление.

$ Дешевизна.

$ Малое входное сопротивление.

$ Малая крутизна характеристик.
$$$266. На чем основано управление током в полевом транзисторе с управляющим p-n – переходом?

$ На изменении емкости перехода.

$ На изменении коэффициента передачи тока под действием входного напряжения.

$ На изменении сопротивления канала вследствие изменения концентрации носителей заряда.

$$ На изменении ширины перехода при изменении входного напряжения.
$$$267. На чем основано управление током в полевом транзисторе с изолированным затвором индуцированным каналом ?

$ На изменении емкости перехода.

$ На изменении коэффициента передачи тока под действием входного напряжения.

$$ На изменении сопротивления канала вследствие изменения концентрации носителей заряда.

$ На изменении ширины перехода при изменении входного напряжения.
$$$268. На чем основано управление током в полевом транзисторе с изолированным затвором со встроенным каналом?

$ На изменении емкости перехода.

$ На изменении коэффициента передачи тока под действием входного напряжения.

$$ На изменении сопротивления канала вследствие изменения концентрации носителей заряда.

$ На изменении ширины перехода при изменении входного напряжения.
$$$269. Сколько p-n – переходов должен иметь тиристор?

$ Один p-n – переход.

$ Два p-n – перехода.

$ $ Три p-n – перехода.

$ p-n – переходов у тиристора может не быть совсем.
$$$270. Каково назначение тиристора?

$ Выпрямлять переменный ток.

$ Стабилизировать напряжение.

$ Генерировать колебания.

$$ Для переключения больших токов.
$$$271. Что такое запрещённая зона?

$$ Совокупность энергетических уровней, которыми не могут обладать электроны данного вещества.

$ Зона, в которой могут находиться только дырки.

$ Зона, в которой не могут находиться носители тока.

$ Зона, в которой могут находиться основные носители тока
$$$272. Что такое валентная зона?

$$ Совокупность энергетических уровней валентных электронов.

$ Зона, в которой не могут находиться носители тока.

$ Зона, в которой могут находиться основные носители тока.

$ Зона, в которой могут находиться только дырки.

$$$273. Что такое зона проводимости?

$$ Совокупность энергетических уровней свободных электронов.

$ Зона, в которой могут находиться только дырки.

$ Зона, в которой могут находиться основные носители тока.

$ Зона, в которой не могут находиться носители тока
$$$274. Влияет ли концентрация носителей тока в n и p областях на ширину запорного слоя и величину потенциального барьера?

$$ Влияет.

$ При большой концентрации запорного слоя и потенциальный барьер увеличивается.

$ При увеличении концентрации запорный слой увеличивается, а потенциальный барьер не меняется.

$ При увеличении концентрации ширина запорного слоя уменьшается, а величина потенциального барьера увеличивается.
$$$275. Одинаковый ли ток в германии и кремнии при подаче на p-n переход одинаковых напряжений?

$$ В германии больше, в кремнии меньше.

$ Одинаковый при любом включении.

$ В кремнии больше, в германии меньше.

$ Напряжение не влияет на ток.

$$$276. Одинакова ли отрицательная температура для германиевых и кремниевых диодов?

$$ Одинакова.

$ Для германиевых больше, для кремниевых меньше.

$ Для германиевых меньше, для кремниевых больше.

$ При любых отрицательных температурах диоды могут работать.
$$$277. Как образуется потенциальный барьер?

$$ За счёт инжекции электронов из p-области в n-область, а дырок из n-области в p-область.

$ Путём инжекции электронов из n-области в p-область.

$ Путём инжекции дырок из p-области в n-область.

$ За счёт образования ( - ) ионов в p-области, а ( + ) в n-области.
$$$278. Как изменяется сопротивление запорного слоя при прямом и обратном включении p-n перехода.

$$ В прямом – уменьшается, в обратном – увеличивается.

$ Увеличивается

$ Не изменится

$ В прямом – уменьшается, в обратном –уменьшается.
$$$279. Какие п/п диоды кремниевые или германиевые могут работать при более высокой температуре?

$$ Кремниевые.

$ При определённых условиях германиевые.

$ Германиевые.

$ Оба не могут работать.
$$$280 Какие электроны в атоме находятся на более высоких энергетических уровнях?

$$ Наиболее удаленные от ядра.

$Электроны внутренней оболочки.

$ Наиболее быстрые электроны.

$ Обладающие меньшей энергией.
$$$281. Какие носители являются основными в п/п n и p – типа.

$$ p – дырки, n – электроны.

$ n – с большими энергиями, в p – с малыми Энергиями.

$ P – дырки и электроны, n – электроны.

$ n – электроны и дырки, p – дырки.
$$$282. Что такое p-n переход?

$$ Слой на границе раздела p и n – областей.

$ Слой с не основными носителями.

$ Слой, заполненный электронами и дырками.

$ Скачёк потенциала на границе p и n – областей.
$$$283. Какие п/п диоды - точечные или плоскостные способны пропускать больше тока.

$$ Плоскостные.

$ Ни точечные, ни плоскостные.

$ Только точечные, так как они мощнее.

$ Плоскостные при использовании их в выпрямителях и детекторах.
$$$284. Как изменяются барьерная и диффузионная ёмкости при изменении напряжения, приложенного к p-n переходу в прямом направлении?

$$ Барьерная уменьшается при увеличении прямого напряжения, диффузионная увеличивается.

$ Не изменяется.

$ При уменьшении напряжения барьерная – увеличивается, диффузионная – уменьшается.

$ При увеличении напряжения обе ёмкости уменьшаются.
$$$285. Какими носителями тока обусловлена собственная проводимость полупроводника?

$$ Электронами.

$ Электронами и дырками.

$ Дырками.

$ Электронами и ионами.
$$$286. Что такое инжекция?

$$ Введение носителей заряда в область, где они являются неосновными носителями.

$Хаотическое движение зарядов.

$ Введение носителей тока через p-n переход.

$ Движение носителей тока под действием электрического поля.
$$$287. Какие диоды кремниевые или германиевые обладают большим напряжением пробоя?

$$ Кремниевые.

$ Германиевые.

$ У обоих диодов одинаковое и большое.

$ Для обоих диодов напряжение пробоя не имеет смысла.

$$$288 Изменяется ли проводимость полупроводников n и p типа при изменении температуры?

$$ Увеличивается при увеличении температуры.

$ Не изменяется.

$ Уменьшается при увеличении температуры.

$ При увеличении температуры, в n-типа увеличивается, в р-типа уменьшается.
$$$289 Как влияет электрическое поле запорного слоя на движение основных и не основных носителей тока?

$$ Для основных – тормозящее, для не основных – ускоряющее.

$ Для основных – ускоряющее, для не основных – тормозящее.

$ Является ускоряющим.

$ Является тормозящим.
$$$290 При одинаковом ли напряжении, приложенном к p-n переходу в прямом направлении, будет скомпенсирован потенциальный барьер в германии и кремнии?

$$ В германии при меньшем, в кремнии при большем.

$ В германии при большем, в кремнии при меньшем.

$ При одинаковом.

$ В германии может быть скомпенсирован, в кремнии нет.
$$$291 В каких диодах германиевых или кремниевых ток сильнее изменяется при изменении температуры.

$$ В германиевых

$ В кремниевых.

$ В германиевых изменяется, в кремниевых – не изменяется.

$ В кремниевых изменяется, в германиевых – не изменяется.
$$$292 В каких зонах происходит перемещение свободных электронов и дырок.?

$$ Электроны в зоне проводимости, дырки в валентной зоне.

$ В зоне проводимости.

$ Дырки в зоне проводимости, электроны в валентной зоне.

$ Дырки в валентной зоне, электроны в запрещённой.
$$$293 Как влияет обратное напряжение на движение основных и не основных носителей тока через p-n переход?

$$ Основные тормозит, не основные ускоряет.

$ Тормозит движение носителей.

$ Ускоряет движение носителей.

$ Основные ускоряет, не основные тормозит.
$$$294 Какие диоды, точечные или плоскостные способны работать на более высоких частотах?

$$ Точечные.

$ Плоскостные.

$ На высоких частотах могут работать и точечные, и плоскостные диоды.

$ На высоких частотах могут работать только германиевые диоды.
$$$295 Какие диоды, точечные или плоскостные способны работать на более низких частотах?

$$ Плоскостные.

$ На высоких частотах могут работать только германиевые диоды.

$ Точечные.

$ На высоких частотах могут работать и точечные, и плоскостные диоды.

$$$296 Влияет ли изменение температуры на величину допустимого обратного напряжения?

$$ Влияет увеличение температуры.

$ Величина допустимого обратного напряжения возрастает при увеличении температуры.

$ Допустимое обратное напряжение уменьшается при уменьшении температуры.

$ Уменьшение температуры не влияет на величину допустимого обратного напряжения.
$$$297 Какие условия должны быть выполнены, чтобы электрон мог перейти с более низкого энергетического уровня на более высокий?

$$ Необходимо сообщить электрону дополнительную энергию.

$ Чтобы энергетический уровень был свободен.

$ Электрон должен обладать достаточной энергией и скоростью.

$ Необходимо сообщить электрону дополнительную энергию, и чтобы энергетический уровень был свободен.
$$$298 Какие носители являются не основными в полупроводниках n и р типа?

$$ В р – электроны, n – дырки.

$ В n – электроны, р – дырки.

$ В n – (+) ионы, в р- (-) ионы.

$ В n – с большими энергиями, в р – с малыми энергиями.
$$$299 Что является характерным для запорного слоя?

$$ Большое сопротивление.

$ Большая разность потенциалов.

$ Скопление дырок и электронов.

$ Занятие носителями высоких энергетических уровней.
$$$300 Какими носителями обусловлен ток через р-n переход при прямом и обратном включении?

$$ При прямом – основными, обратном – не основными.

$ При прямом – дырками, при обратном – электронами.

$ При прямом – электронами, при обратном – дырками.

$ При прямом – не основными, при обратном – основными.

$$$301 Как изменяется собственная проводимость полупроводников при изменении температуры?

$$ При повышении температуры увеличивается.

$ При понижении температуры увеличивается.

$ При повышении температуры уменьшается.

$ Уменьшается при повышении и понижении температуры

$$$302 Что характерно для полупроводниковых материалов?

$$ на внешней электронной оболочке вращаются четыре валентных электрона

$ при повышении температуры не проводят электрический ток, т.е. являются диэлектриками

$ при температуре абсолютного нуля их электропроводность велика, т.е. они являются проводниками

$ на внешней электронной оболочке вращаются пять валентных электронов
$$$303 Как влияет прямое напряжение на движение основных и не основных носителей тока через p-n переход?

$$ Основные ускоряет, неосновные тормозит.

$ Ускоряет движение носителей через p-n переход.

$ Неосновные ускоряет, основные тормозит.

$ Тормозит движение носителей через p-n переход.

$$$304 Как изменяется барьерная и диффузионная ёмкости при включении p-n перехода в обратном направлении?

$$ Диффузионная – уменьшается, барьерная – увеличивается.

$ Уменьшается – барьерная, не имеет смысла – диффузионная.

$ Не изменяется.

$ Диффузионная – увеличивается, барьерная – уменьшается.

$$$305 Как изменяется барьерная и диффузионная ёмкости при включении

р - n перехода при прямом направлении?

$$ Диффузионная – увеличивается, барьерная – уменьшается.

$ Диффузионная – уменьшается, барьерная – увеличивается.

$ Не изменяется.

$ Уменьшается – барьерная, не имеет смысла – диффузионная.
$$$306 Будет ли одинаковым обратный ток германиевого и кремниевого диодов при одинаковом обратном напряжении?

$$ У германиевого больше.

$ У кремниевого больше.

$ У обоих одинаковый.

$ Токи от величины напряжения не зависят.
$$$307 Что такое рекомбинация?

$$ Процесс исчезновения пары электрон проводимости дырка проводимости.

$ Движение носителей через p-n переход.

$ Переход носителей в область, где они являются неосновными.

$ Столкновение основных и неосновных носителей.

$$$308 Что такое генерация?

$$Процесс образования пары электрон проводимости дырка проводимости.

$ Движение носителей через p-n переход.

$ Столкновение основных и неосновных носителей.

$ Переход носителей в область, где они являются неосновными.

$$$309 Какие заряды находятся на запорном слое?

$$ Электроны и дырки.

$ (-) ионы и (+) ионы.

$ (-) ионы и дырки.

$ (-) ионы и электроны.

$$$310 Как изменяется ширина запорного слоя при прямом и обратном его включении?

$$ При прямом включении уменьшается, при обратном увеличивается.

$ Увеличивается.

$Уменьшается.

$ При прямом включении уменьшается, при обратном уменьшается

$$$311 Как изменится высота потенциального барьера?

$$При прямом включении уменьшается. , при обратном увеличивается

$ При прямом включении уменьшается, при обратном уменьшается

$ Увеличивается.

$ Уменьшается

$$$312 При одинаковой температуре наступает электрический пробой в кремниевых и германиевых диодах?

$$ В кремниевых при большой, в германиевых при меньшей.

$ При одинаковой, когда приложено одинаковое напряжение.

$ В германиевых при большой, в кремниевых при меньшей.

$ При любой температуре пробоя не наступит.

$$$313 Примеси какой валентности обеспечивают получение п/п p и n типа?

$$ n – 5 валентные, p – 3 валентные.

$ n – 3 валентные, p – 5 валентные.

$ n – 5 валентные, p – 5 валентные.

$ n – 4 валентные, p – 3 валентные.
$$$314 Что такое диффузия носителей в проводнике?

$$ Движение за счёт разности концентрации носителей.

$ Хаотическое тепловое движение.

$ Движение за счёт электрического поля.

$ Упорядоченное движение носителей.
$$$315 Какое включение p-n перехода называемая прямым и обратным?

$$ Прямое – плюс к источнику питания к p-области, минус к n-области; обратное – плюс к n, а минус к p-области.

$ (+) к n и (-) к p – прямое; (+) к p и (-) к n – обратное.

$ (-) к n и (-) p – прямое; (+) к p и (+) к n – обратное.

$ (-) к n и (+) к p – обратное; (+) к n и (-) к p – прямое.
$$$316 Какие носители заряда являются не основными в полупроводниках n и р типа?

$$ В р –электроны, n- дырки

$ В n- большими
1   2   3   4   5   6   7

Похожие:

Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconКурс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Основы Радиотехники,...
Характеристиками каких устройств являются: чувствительность, избирательность, полоса пропускания диапазон частот, качество воспроизведения...
Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconКурс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Основы Радиотехники,...
Озу это устройство $$ применяется для хранения информации, которая обновляется в процессе работы
Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconКурс 1 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина: Философия Кредиттің саны: 3 Количество кредитов: 3
Направление философии, которое утверждает первичность природной и социальной реальности
Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconУчебный план 6 семестра группы хп-3 (2012-2013 учебный год) дисциплина...
Цыганков А. П. Современные политические режимы: структура, типология, динамика. М., 1995
Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconУчебный план 6 семестра группы рт-3 (2012-2013 учебный год) дисциплина...
Найдите правильный вариант перевода на английский язык слов, заключенных в скобки
Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconУчебный план 2 семестра группы мкб-1 (2012-2013 учебный год) Дисциплина...
А4: по краям листа остаются свободные поля: слева – 2,5 см, справа – 1,5 см, вверху и внизу – по 2,5 см
Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconУчебный план 2 семестра группы мкс-1 (2012-2013 учебный год) Дисциплина...
А4: по краям листа остаются свободные поля: слева – 2,5 см, справа – 1,5 см, вверху и внизу – по 2,5 см
Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconУчебный план 2 семестра группы мкс-1 (2012-2013 учебный год) Дисциплина...
А4: по краям листа остаются свободные поля: слева – 2,5 см, справа – 1,5 см, вверху и внизу – по 2,5 см
Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconУчебный план 2 семестра группы ртб-1 (2012-2013 учебный год) дисциплина...
История России: Учебник для вузов/ Орлов А. С., Георгиев В. А., Георгиева Н. Г., Сивохина Т. А. – М., 2002
Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconУчебный план 2 семестра группы хпб-1 (2012-2013 учебный год) дисциплина...
История России: Учебник для вузов/ Орлов А. С., Георгиев В. А., Георгиева Н. Г., Сивохина Т. А. – М., 2002
Вы можете разместить ссылку на наш сайт:
Школьные материалы


При копировании материала укажите ссылку © 2020
контакты
userdocs.ru
Главная страница