Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша


НазваниеКурс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша
страница7/7
Дата публикации01.08.2013
Размер0.61 Mb.
ТипДокументы
userdocs.ru > Физика > Документы
1   2   3   4   5   6   7
энергиями

$В n – (+) ионы, р (-) ионы

$ В р (+) ионы, n- (-) ионы

$$$317 Что такое р-n переход?

$$ Слой на границе раздела р и n областей, обедненный основными носителями заряда

$ Слой с не основными носителями.

$ Слой заполненный электронами и дырами

$ Слой на границе двух областей

$$$318 Какое включение р-n перехода называется прямым и обратным?

$$ (-) к n – и (+) к р-области; обратное, (+) к n и (-) к р- прямым

$ (+) к n, а (-) к р- прямое, (+) к-р, а (-) к-n обратное

$ (-) к –n, и (-) к р- прямое, (+) к р, и(+) к n- обратное

$ Прямое – плюс источника питания к р области, минус к n- области
$$$319 Каким носителями обусловлен ток через р-n переход при прямом и обратном его включении

$$ При прямом – электронами, и обратном - дырками

$ При прямом – основными носителями, при обратном – не основными носителями

$ При прямом – дырками, обратном – электронами

$ При прямом–не основными носителями ,при обратном – основными
$$$310 Как влияет прямое напряжение на движение носителей заряда?

$$ Основные – ускоряет ,не основные – тормозит

$ Ускоряет движение носителей через р-n переход

$ Не сновные – ускоряет, основные тормозит

$ Тормозит движение носителей через р – n переход
$$$311 Что такое база?

$$ Средняя область транзистора, является основной для построения р-n переходов входа и выхода

$ Область, основными носителями тока является (-) ионы $ Область, основными носителями тока являются (+) ионы

$ Область, обедненная основными носителями тока

$$$312 Что такое эмиттер?

$$Крайняя область, примыкающая к р-n переходу, включаемому в прямом

направлении, и являющаяся источником носителей тока

$ Область, основными носителями, которой являются (+) ионы

$ Область, основными носителями являются (-) ионы

$ Область, примыкающая к р-n переходу, включенному в обратном направлении
$$$313 Что такое коллектор?

$$ Крайняя область, примыкающая к р-n переходу, включаемая в обратном направлении, и собирающая носители тока, выходящие из эмиттера

$ Область, примыкающая к р-n переходу, включаемому в прямом направлении

$ Область, с не основными носителями тока

$ Область между р-n переходами
$$$314 В каком направлении включается эмиттерный и коллекторный переход транзистора в усилительном режиме?

$$ Эмиттерный – в прямом, коллекторный – в обратном

$ Эмиттерный - в прямом ,коллекторный- под напряжением не включается

$ Оба перехода в прямом

$ Оба перехода в обратном
$$$315 В каком направлении включается эмиттерный и коллекторный переход транзистора в режиме насыщения?

$ Эмиттерный – в прямом, коллекторный – в обратном

$ Эмиттерный - в прямом ,коллекторный- под напряжением не включается

$$ Оба перехода в прямом

$ Оба перехода в обратном
$$$316 Какая примесь называется донорной ?

$$ Имеющая 5 свободных электронов

$ Имеющая 4 свободных электронов

$ Имеющая 3 свободных электронов

$ Имеющая 2 свободных электронв
$$$317 В каком направлении включается эмиттерный и коллекторный переход транзистора в режиме отсечки?

$ Эмиттерный – в прямом, Коллекторный – в обратном

$ Эмиттерный - в прямом ,коллекторный- под напряжением не включается

$Оба перехода в прямом

$$ Оба перехода в обратном
$$$318 Какие полупроводниковые приборы работают в режиме пробоя

$$Стабилитроны.

$Выпрямительные.

$Туннельные.

$Светодиоды.

.

$$$319 Где больше концентрация носителей заряда, в области p-n – перехода или прилегающих к нему областях полупроводника?

$ Больше в области p-n – перехода.

$$ Больше в прилегающих к p-n – переходу областях полупроводника.

$Примерно одинакова.

$По краям полупроводника .
$$$320 Как изменится толщина p-n – перехода при обратном включении?

$ Не изменится.

$$Увеличится.

$ Уменьшится.

$ Уменьшится, но сопротивление возрастёт.
$$$321 Как изменится толщина p-n – перехода при прямом включении?

$Не изменится.

$Увеличится.

$$Уменьшится.

$Уменьшится, но сопротивление возрастёт.
$$$322 Для чего применяются туннельные диоды?

$Для выпрямления переменного тока.

$Для стабилизации тока.

$Для стабилизации напряжения.

$$ Для генерации и усиления сигналов.
$$$323. Какие h-параметры

$$ h11; h12

транзистора с ОБ можно

$ h22; h12

определить в указанной

$ h12; h21

РТ «С» на входных

$ h11; h22

характеристиках ?



$$$324 Какие полупроводниковые диоды могут работать на более высоких частотах?

$ Плоскостные.

$$ Точечные.

$Рабочая частота от конструкции p-n – перехода не зависит.

$Ни плоскостные, ни точечные на высокой частоте работать не могут.
$$$325 В какой схеме с ОБ или ОЭ больше Rвх. транзистора?

$$ В схеме с ОБ

$ Одинаковы и в схеме с ОБ и ОЭ

$ В схеме с ОЭ

$ В схеме с ОБ Rвх=0, с ОЭ – большое
$$$326 Что такое граничная частота- fгр транзистора? $$Максимальная частота, на которой может работать транзистор

$ Минимальная частота, на которой может работать транзистор

$ Минимальная и максимальная рабочая частота

$ Частота, при которой усиление транзистора падает до 0

$$$327 В какой схеме с ОБ или ОЭ больше Rвых

$$ В схеме с ОБ

$ В схеме ОБ Rвых=, ОЭ Rвых=

$ Одинаковы при равных условиях $ В схеме ОБ Rвых=0, ОЭ Rвых=
$$$328 Какой величины должно быть выходное сопротивление усилителя, для получения наибольшего усиления сигнала по мощности с наименьшими искажениями.

$ Как можно большим.

$ Средней величины.

$ Равным нулю.

$$ Равным сопротивлению нагрузки.
$$$329 Какой величины должно быть входное сопротивление усилителя, для получения наибольшего усиления сигнала по мощности с наименьшими искажениями?

$ Как можно меньшим.

$ Как можно большим.

$Средней величины.

$$ Равным сопротивлению источника сигнала.

.

$$330 Укажите правильную систему уравнений для h- параметров тр-ра с ОЭ $$ Ik = Iб h21+ Uk h22

Uб = Iб h11+ Uk h12

$ Uб = Iб h12+ Ik h11

Uk = Iб h21+ Ik h22

$ Uб = Iэ h11+ Iб h12

Uk = Ik h21+ Iб h22

$ Iб = Uб h11+ Uk h12

Ik = Uб h21+ Uk h22
$$$331 Какие h- параметры $$ h21, h22

транзистора с ОЭ можно $ h21, h12

определить в указанной $ В указанной точке

рабочей точке «С» на определить

выходных характеристиках? параметры нельзя

$ h11, h22


$$$332 Какие h- параметры транзистора с ОЭ можно определить в указанной рабочей точке «С» на входных характеристиках



$$ h11, h12

$ h12, h21

$ h12, h22

$ h11, h22
$$$333 Укажите выходную проводимость и коэффициент ОС по напряжению

$$ h22, h12

$ h12, h21

$ h11, h22

$ h11, h12
$$$334 Укажите буквенно-цифровое обозначение полевого транзистора.

$КТ806А.

$ 6Ж22П.

$К140УД13А.

$$КП103К.
$$$335 Укажите буквенно-цифровое обозначение биполярного транзистора.

$$КТ806А.

$6Ж22П.

$КС162А.

$К140УД13А.

$$$336 Укажите входное сопротивление и коэффициент усиления по току транзистора

$$ h11, h21

$ h12, h22

$ h12, h21

$ Правильного ответа нет
$$$337 Даёт ли усиление по току транзистора схема с ОЭ? $$ Усиление по току и напряжению даёт

$ Усиление по напряжению даёт $) $ Усиление по току и напряжению не дает

$ Правильного ответа нету

.

$$$338. Укажите правильную

рабочую точку на выходных

характеристиках тр-ра с ОЭ,

соответствующую рабочей

точке «С» на входных

характеристиках.

$$С1

$С5

$С2

$С3




$$$339 Какие транзисторы n-p-n или p-n-p могут работать на более высокой частоте при прочих равных условиях?

$$ на одинаковой высокой частоте p-n-p и n-p-n могут работать

$ n-p-n

$ n-n-p и p-n-p могут работать

только на низкой частоте

$ Правильного ответа нет

$$$340 Как изменяется ток коллектора – Ik при изменении частоты усиливаемого сигнала f?

$$) При увеличении f, Ik- уменьшается

$) При увеличении и уменьшении f, Ik – увеличивается

$) При увеличении и уменьшении f, Ik – уменьшается

$ При увеличении f, Ik- увеличивается

$$$341 Что называется полевым транзистором?

$$. Полупроводниковый прибор, у которого один p-n переход и три вывода.

$ Полупроводниковый прибор, у которого два p-n перехода и три вывода.

$ Полупроводниковый прибор, у которого три p-n перехода и два вывода.

$ Полупроводниковый прибор, у которого три p-n перехода и два вывода.
$$$342 Что называется затвором?

$$ Электрод, регулирующий поперечное сечение канала.

$ Электрод, через который н.з. втекают в канал.

$Электрод, через который н.з. вытекают.

$ Электрод, по которому протекает ток коллектора.
$$$343 Как подаётся полярность на электроды полевого транзистора с управляющим p-n переходом с каналом n-типа?

$$ “-”на затвор, ”-” на исток.

$ “-” на затвор, “+” на исток.

$ “+” на затвор, “-” на исток.

$ “+” на затвор, “+” на исток.
$$$344 Укажите формулу для определения параметра: “КРУТИЗНА”

$$ $ $ $
$$$345 Для какого транзистора приведена характеристика?


$$ Для полевого транзистора с управляющим p-n переходом, с каналом р-типа.

$ Для полевого транзистора с управляющим p-n переходом, с каналом n-типа.

$ Для биполярного транзистора.

$ Для полевого транзистора со встроенным каналом n-типа.
$$$346 Какая из приведённых схем соответствует полевому транзистору с управляющим p-n переходом n-типа?
$$ $


$

$



$$$347 Какая из приведённых схем соответствует полевому транзистору со встроенным n- каналом, работающем в режиме обогащения?
$$ $



$ $


$$$348. Какая из приведённых схем соответствует полевому транзистору с индуцированным каналом р-типа?
$

$$



$

$


$$$349 Как по виду стоковых характеристик определить, что они для полевого транзистора со встроенным каналом?

$$ Характеристика при Uзи=0 находится в середине стоковых характеристик

$ Характеристика при Uзи=0 находится выше всех стоковых характеристик.

$ Характеристика при Uзи=0 находится ниже всех стоковых характеристик.

$ Характеристики Uзи начинаются не из канала координат.
$$$350 Как по виду стоковых характеристик определить, что они для полевого транзистора с индуцированным каналом?

$$ Характеристика при Uзи=0 находится в середине стоковых характеристик.

$ Характеристика при Uзи=0 находится выше всех стоковых характеристик.

$ Характеристика при Uзи=0 находится ниже всех стоковых характеристик..

$ Характеристики Uзи начинаются не из канала координат.

$$$351. Какой элемент осуществляет ВЧ коррекцию?

$VT $VD $$L $C

$$$ 352. Назначение элемента Rз

$$Подать напряжение смещения

$Выделить полезный сигнал

$Предназначен для температурной стабилизации

$Пропустить переменную составляющую и задержать постоянную


$$$353. Назначение элемента R

$Подать напряжение смещения

$$Выделить полезный сигнал

$Предназначен для температурной стабилизации

$Пропустить переменную составляющую и задержать постоянную


$$$354. Назначение элемента Rист

$Подать напряжение смещения

$Выделить полезный сигнал

$$Для температурной стабилизации

$Пропустить переменную составляющую и задержать постоянную


$$$355. Назначение элемента Ср1

$Подать напряжение смещения

$Выделить полезный сигнал

$Для температурнойстабилизации

$$Пропустить переменную составляющую и задержать постоянную


$$$356. Какой элемент отсутствует в данной схеме?



$$VT $VD $R $C

$$$357. Как называется данная схема регулировки усилителей?

$$Потенциометрическая

$Автоматическая

$Ручная

$Регулировка напряжением смещения

$$$358. Как называется данная схема?



$КПУ на БТ $$КПУ на ПТ $ОК на БТ $ОК на ПТ

$$$359. Какой тип транзистора используется в данной схеме?

$МДП

$МОП

$$ПТ с управляющим p-n переходом

$БТ

$$$360. Назначение элементов Rk1, Rk2



$Подать напряжение смещения

$$Выделить полезный сигнал

$Предназначен для температурной стабилизации

$Пропустить переменную составляющую и задержать постоянную
1   2   3   4   5   6   7

Похожие:

Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconКурс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Основы Радиотехники,...
Характеристиками каких устройств являются: чувствительность, избирательность, полоса пропускания диапазон частот, качество воспроизведения...
Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconКурс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Основы Радиотехники,...
Озу это устройство $$ применяется для хранения информации, которая обновляется в процессе работы
Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconКурс 1 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина: Философия Кредиттің саны: 3 Количество кредитов: 3
Направление философии, которое утверждает первичность природной и социальной реальности
Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconУчебный план 6 семестра группы хп-3 (2012-2013 учебный год) дисциплина...
Цыганков А. П. Современные политические режимы: структура, типология, динамика. М., 1995
Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconУчебный план 6 семестра группы рт-3 (2012-2013 учебный год) дисциплина...
Найдите правильный вариант перевода на английский язык слов, заключенных в скобки
Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconУчебный план 2 семестра группы мкб-1 (2012-2013 учебный год) Дисциплина...
А4: по краям листа остаются свободные поля: слева – 2,5 см, справа – 1,5 см, вверху и внизу – по 2,5 см
Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconУчебный план 2 семестра группы мкс-1 (2012-2013 учебный год) Дисциплина...
А4: по краям листа остаются свободные поля: слева – 2,5 см, справа – 1,5 см, вверху и внизу – по 2,5 см
Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconУчебный план 2 семестра группы мкс-1 (2012-2013 учебный год) Дисциплина...
А4: по краям листа остаются свободные поля: слева – 2,5 см, справа – 1,5 см, вверху и внизу – по 2,5 см
Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconУчебный план 2 семестра группы ртб-1 (2012-2013 учебный год) дисциплина...
История России: Учебник для вузов/ Орлов А. С., Георгиев В. А., Георгиева Н. Г., Сивохина Т. А. – М., 2002
Курс 2 2011-2012 учебный год Пән Дисциплина «Электроника и Схемотехника Аналоговых Устройств 2» Қрредиттін саны Сабақ түрлері бойынша iconУчебный план 2 семестра группы хпб-1 (2012-2013 учебный год) дисциплина...
История России: Учебник для вузов/ Орлов А. С., Георгиев В. А., Георгиева Н. Г., Сивохина Т. А. – М., 2002
Вы можете разместить ссылку на наш сайт:
Школьные материалы


При копировании материала укажите ссылку © 2020
контакты
userdocs.ru
Главная страница